Konu Başlıkları
10 bölüm ve 40 konu başlığıyla dersin tamamı.
01 Yarı İletkenler ve PN Ekleminin Temelleri 4 konu
Yarı iletkenler, elektriksel iletkenlikleri iletkenler ve yalıtkanlar arasında bulunan malzemelerdir. Silisyum (Si) ve germanyum (Ge), elektronik devrelerde en yaygın kullanılan yarı iletkenlerdir. Saf yarı iletkenlere öz yarı iletken denir ve bunlarda elektron ve oyuk yoğunlukları birbirine eşittir. Sıcaklık arttıkça serbest…
Örnek soru: Dört değerlikli saf silisyuma az miktarda katkı yapılarak n-tipi yarı iletken elde edilmek...
- Yarı İletkenlerin Temel Özellikleri
- N Tipi ve P Tipi Yarı İletkenler
- Çoğunluk ve Azınlık Taşıyıcıları
- PN Eklem ve Tükenim Bölgesi
02 Diyotlar ve Temel Diyot Devreleri 4 konu
Diyot, akımı esas olarak tek yönde iletmek amacıyla kullanılan yarı iletken devre elemanıdır. İleri yönde yeterli gerilim uygulandığında diyot iletime geçer. Silisyum diyotlarda pratik hesaplarda ileri yönde yaklaşık 0,7 V gerilim düşümü kabul edilir. Ters yönde ise normal çalışma sınırları…
Örnek soru: İdeal diyot modelinde ileri yönde iletimdeki diyot ve ters yönde tıkalı diyot için hangisi...
- Diyotun Akım-Gerilim Karakteristiği
- Doğrultma Devreleri
- Zener Diyot ve Gerilim Regülasyonu
- Kırpıcı ve Kenetleyici Devreler
03 BJT Transistörlerin Temelleri 4 konu
BJT, yani bipolar jonksiyon transistörü, elektronik yükseltme ve anahtarlama devrelerinde kullanılan üç uçlu bir devre elemanıdır. Temel terminalleri emiter, beyz ve kollektördür. NPN ve PNP olmak üzere iki temel tipi bulunur. Beyz bölgesi ince ve hafif katkılı, emiter bölgesi ise…
Örnek soru: Şekil bir NPN transistörün katkı profilini kavramsal olarak göstermektedir. Emiter bölgesi...
- BJT Yapısı ve Terminalleri
- BJT Çalışma Bölgeleri
- BJT Akım İlişkileri ve Akım Kazancı
- Ortak Emiter Bağlantısı
04 BJT Kutuplama ve Yükselteç Devreleri 4 konu
Transistörlü yükselteçlerde çalışma noktası veya Q noktası, giriş sinyali yokken transistörün DC akım ve gerilimlerini belirleyen noktadır. Uygun Q noktası, giriş sinyalinin daha az bozulmayla yükseltilmesini sağlar. Çalışma noktasının yanlış seçilmesi kesim veya doyuma erken ulaşılmasına neden olabilir. Bu nedenle…
Örnek soru: Bir NPN yükselteçte emiter direncinin (RE) kutuplama kararlılığına etkisi hangisidir?
- Çalışma Noktası (Q Noktası)
- Sabit Beyz Kutuplaması
- Gerilim Bölücülü Kutuplama
- BJT Küçük Sinyal Yükselteçleri
05 FET ve MOSFET Temelleri 4 konu
FET, alan etkili transistör ailesine verilen genel addır. FET'lerde kanal akımı, gate terminaline uygulanan gerilim tarafından kontrol edilir. Gate terminalinden ideal durumda çok küçük akım aktığı için giriş empedansı oldukça yüksektir. FET'ler düşük giriş akımı istenen yükselteç ve anahtarlama uygulamalarında…
Örnek soru: JFET'te IDSS = 10 mA, VP = −4 V ve VGS = −2 V'tur. Kanal akımı ID kaç mA'dir?
- FET'in Temel Yapısı ve Çalışma Prensibi
- JFET ve Pinç-Off Kavramı
- MOSFET Türleri
- FET Kutuplaması ve Ortak Kaynak Yükselteci
06 İşlemsel Yükselteçler (Op-Amp) 4 konu
İşlemsel yükselteç, çok yüksek açık çevrim gerilim kazancına sahip diferansiyel bir yükselteçtir. Temel olarak tersleyen giriş, terslemeyen giriş ve çıkış terminalinden oluşur. İdeal op-amp için giriş akımlarının sıfır olduğu ve giriş empedansının sonsuz kabul edildiği varsayılır. İdeal op-amp'ın çıkış empedansı…
Örnek soru: Şekil bir işlemsel yükseltecin uçlarını ve uç akımlarını göstermektedir. İdeal model için...
- İşlemsel Yükseltecin Temel Özellikleri
- Tersleyen ve Terslemeyen Yükselteç
- Toplayıcı ve Fark Yükselteçler
- İntegratör ve Diferansiyatör Devreleri
07 Geri Besleme ve Yükselteçlerin Frekans Davranışı 4 konu
Negatif geri besleme, çıkışın bir bölümünün girişe ters işaretli olarak geri uygulanmasıdır. Bu yapı yükseltecin kazancını azaltırken kazancın kararlılığını ve bant genişliğini artırabilir. Ayrıca doğrusal olmayan bozulmaların ve bazı gürültü bileşenlerinin azalmasına yardımcı olur. Negatif geri besleme kullanılan sistemlerde giriş…
Örnek soru: Negatif geri beslemenin bir yükselteçte temel etkisi nedir?
- Negatif Geri Besleme
- Pozitif Geri Besleme
- Kazanç ve Bant Genişliği
- Desibel ve Frekans Cevabı
08 Güç Yükselteçleri ve Gerilim Regülatörleri 4 konu
Güç yükselteçleri, yükte daha yüksek güç elde edilmesini amaçlayan yükselteçlerdir. Gerilim yükselteçlerinden farklı olarak verim, çıkış gücü ve ısıl tasarım büyük önem taşır. Güç yükselteçlerinde çıkış transistörleri daha yüksek akım ve güç seviyelerinde çalışabilir. Hoparlör sürme gibi yüklerde uygun güç…
Örnek soru: Gerilim regülatörünün çıkış gerilimi yük akımı arttıkça azalıyor. Yük regülasyonunu iyileş...
- Güç Yükselteçlerinin Temel Kavramları
- Sınıf A ve Sınıf B Yükselteçler
- Sınıf AB ve Komplementer Push-Pull Yapılar
- Lineer Gerilim Regülatörleri
09 Osilatörler ve Sinyal Üretici Devreler 4 konu
Osilatörler, dışarıdan sürekli periyodik giriş sinyali almadan elektriksel salınım üreten devrelerdir. Uygun geri besleme koşulları sağlandığında devrede sinyal kendiliğinden sürdürülebilir. Bir osilatör için çevrim kazancı ve faz koşulları belirleyici öneme sahiptir. Frekans, devrede kullanılan direnç, kondansatör veya endüktans değerlerine bağlı…
Örnek soru: Colpitts osilatörde L = 10 mH, C1 = C2 = 100 nF'dır. Eşdeğer kapasite CT = C1·C2/(C1+C2) a...
- Osilatörlerin Temel Çalışma Prensibi
- RC Osilatörleri
- LC Osilatörleri
- Kristal Osilatörler
10 Temel Güç ve Anahtarlama Yarı İletkenleri 4 konu
SCR, yani silikon kontrollü doğrultucu, dört katmanlı PNPN yapıya sahip bir güç yarı iletkenidir. Anot, katot ve gate olmak üzere üç temel terminali bulunur. SCR, gate üzerinden uygun tetikleme yapıldığında iletime geçirilebilir. İletime geçtikten sonra anot akımı tutma akımının üzerinde…
Örnek soru: Şebeke gerilimi 220 V (etkin) olan yarım dalga doğrultucuda diyot ideal kabul edilirse çık...
- SCR (Tristör)
- TRIAC ve DIAC
- MOSFET'in Anahtarlama Elemanı Olarak Kullanılması
- IGBT ve Güç Elektroniğinde Eleman Seçimi