Oda sıcaklığında (300 K) içsel taşıyıcı yoğunluğu ni = 1,5×10^10 cm^-3 olan silisyuma ND = 10^16 cm^-3 donör katkılanmıştır. Bu malzemedeki azınlık taşıyıcı (delik) yoğunluğu p0 kaç cm^-3'tür?
Cevabı göster
Doğru cevap: D) 2,25×10^4 cm^-3
GYS ÖRNEK SORU
Elektronik Devreler sorusu: Oda sıcaklığında (300 K) içsel taşıyıcı yoğunluğu ni = 1,5×10^10 cm^-3…
Konu özeti: Yarı İletkenler ve PN Ekleminin Temelleri
Yarı iletkenler, elektriksel iletkenlikleri iletkenler ve yalıtkanlar arasında bulunan malzemelerdir. Silisyum (Si) ve germanyum (Ge), elektronik devrelerde en yaygın kullanılan yarı iletkenlerdir. Saf yarı iletkenlere öz yarı iletken denir ve bunlarda elektron ve oyuk yoğunlukları birbirine eşittir. Sıcaklık arttıkça serbest taşıyıcı sayısı arttığından yarı iletkenlerin iletkenliği genel olarak artar. Yarı iletkenlerin elektriksel özellikleri kontrollü biçimde…
Konunun tamamı, hap bilgiler ve bu bölümün bütün soruları için Elektronik Devreler ders sayfasına gidin.
Benzer sorular
Dört değerlikli saf silisyuma az miktarda katkı yapılarak n-tipi yarı iletken elde edilmek isteniyor. Bu amaçla kullanıl... Şekil, ND = 10^16 cm^-3 donör katkılı silisyumun 300 K'deki enerji bant yapısını göstermektedir. Bu malzemedeki Fermi se... İdeal diyot modelinde ileri yönde iletimdeki diyot ve ters yönde tıkalı diyot için hangisi doğrudur? Şekil bir diyotun akım-gerilim eğrisini doğrusal ve üstel modellerle karşılaştırmaktadır. Gerçek diyot için hangi model...Elektronik Devreler sorularının tamamını çözün
Bölüm testleri, karma testler ve deneme sınavlarıyla GYS'ye hazırlanın.