Sabit kutuplamalı bir devrede VCC = 12 V, RB = 470 kΩ ve VBE = 0,7 V'tur. Baz akımı IB kaç µA'dir?
Cevabı göster
Doğru cevap: B) 24,0 µA
GYS ÖRNEK SORU
Elektronik Devreler sorusu: Sabit kutuplamalı bir devrede VCC = 12 V, RB = 470 kΩ ve VBE = 0,7 V't…
Konu özeti: BJT Kutuplama ve Yükselteç Devreleri
Transistörlü yükselteçlerde çalışma noktası veya Q noktası, giriş sinyali yokken transistörün DC akım ve gerilimlerini belirleyen noktadır. Uygun Q noktası, giriş sinyalinin daha az bozulmayla yükseltilmesini sağlar. Çalışma noktasının yanlış seçilmesi kesim veya doyuma erken ulaşılmasına neden olabilir. Bu nedenle kolektör akımı ve kolektör-emiter gerilimi gibi büyüklükler birlikte değerlendirilir. Kararlı bir kutuplama devresi Q noktasının…
Konunun tamamı, hap bilgiler ve bu bölümün bütün soruları için Elektronik Devreler ders sayfasına gidin.
Benzer sorular
Bir NPN yükselteçte emiter direncinin (RE) kutuplama kararlılığına etkisi hangisidir? Bir devrede VCC = 5 V, RB = 100 kΩ ve VBE = 0,7 V'tur. Baz akımı IB kaç µA'dir? JFET'te IDSS = 10 mA, VP = −4 V ve VGS = −2 V'tur. Kanal akımı ID kaç mA'dir? Bir JFET'te IDSS = 10 mA ve VP = −4 V'tur. VGS = −2 V noktasında transkondüktans gm kaç mS'dir?Elektronik Devreler sorularının tamamını çözün
Bölüm testleri, karma testler ve deneme sınavlarıyla GYS'ye hazırlanın.